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onsemi FDD8896
| Artikelnummer: | FDD8896 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
onsemi FDD8896 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDD8896.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252AA Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V Verlustleistung (max) 80W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 94A (Tc) Grundproduktnummer FDD889 FDD8896 Einzelheiten PDF [English] FDD8896 PDF - EN.pdf -
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